シングルクリスタル

サイズ: 2、3、4、5、6、8インチ バリエーション: MCZ、CZ、FZ-NTD、FZ 導電性タイプ: N&P 水晶オリエンテーション:<100><11 1><110> 長さ: 80-3 00 mm

研磨ウェーハ

サイズ: 2、3、4、5、6、8、12インチ バリエーション: MCZ、CZ、FZ-NTD、FZ 導電性タイプ: N&P オリエンテーション:<100><11 1><110> 厚さ: 100-5000 umは、特別な厚さカスタマイズすることができます 一箱あたり25個、二重真空、中性ラベル、中性カートン。

酸化物ウェーハ

酸化されたシリコンウェーハとは、シリコンウェーハの表面に酸化物層が存在することを指します。酸化物層の厚さは、ユーザーのニーズに応じて決定されます。一般的に、在庫と定期的な酸化炉チューブの生産があります。 製品のプロセス要件に応じて、異なるプロセスの乾式、湿式、乾式酸素および純乾式酸素酸化物ウェーハを提供することができる。 サイズ: 2、3、4、5、6、8インチ バリエーション: MCZ、CZ、FZ-NTD、FZ 導電性タイプ: N&P 水晶オリエンテーション:<100><11 1><110> 基...

SOI（Silicon-On-Insulator）

SOI(Silicon-On-Insulator)とは、2枚のシリコンウェーハに酸化物層を成長させて貼り合わせ、その酸化物層が埋め込み酸化物層となる技術です。一方のシリコンウェーハは腐食して研磨され、デバイスの薄いシリコン膜となり、もう一方のシリコンウェーハは支持基板として使用されます。 現在、市場では、反宇宙放射シナリオ、MEMS設計、光通信などのSOIソリューションを使用する高級設計がますます増えています。 サイズ: 4,5,6,8インチ 他の変数は顧客の必要性に従ってカスタマイズされます ...

SiC

炭化ケイ素は、CとSiの元素が1: 1の比率で形成されたIV-IV族化合物半導体材料であり、その硬度はダイヤモンドに次ぐものです。 それは大きな開発ポテンシャルを持つ半導体材料であり、また高硬度で脆い材料でもあります。準備過程は複雑で加工が難しいです。 シリコンカーバイドはワイドバンドギャップ半導体材料に属しています 従来の材料と比較して、炭化ケイ素は優れた物理的特性を持ち、ディスクリートデバイスやモジュール、さらには完全なシステムでも体積と重量を減らし、効率を向上させることができます。 特徴:...