2-8インチプライムグレード研磨シリコンウェハー CZ/FZ単結晶

当社の研磨シリコンウェハは、半導体基板ポートフォリオの旗艦製品であり、集積回路およびMEMSデバイスの製造において最高精度基準で製造されています。各研磨シリコンウェハは、結晶成長、内径スライス、エッジラウンド、ラッピング、化学エッチング、最終的な化学機械研磨（CMP）を含む厳格な多段階生産プロセスを経て、原子レベルの平坦さを持つ超滑らかで損傷のない表面を実現しています。研磨および検査プロセス全体を通じて厳格なクリーンルーム条件を維持し、納品するすべての研磨シリコンウェハの粒子汚染を最小限に抑えています。

当社は、直径2インチから8インチまでの研磨シリコンウェハを提供しており、用途に応じてチョクラルスキー法（CZ）およびフロートゾーン法（FZ）の単結晶インゴットから製造しています。CZ研磨シリコンウェハは、一般的なICおよびMEMS用途において優れたコスト効率と均一な酸素含有量を提供し、FZ研磨シリコンウェハは、パワー半導体および高電圧デバイス製造向けに超高純度および高抵抗率を実現します。当社の製品ラインナップは、N型およびP型ドーピングをさまざまな抵抗率グレードでカバーし、結晶方位は<100>、<110>、および<111>を含み、特定のデバイス設計要件に対応しています。また、顧客のプロセスニーズに応じて片面研磨および両面研磨のオプションも提供しています。

すべての研磨シリコンウェハは、全厚み変動（TTV）測定、反りおよび湾曲試験、レーザースキャンシステムによる表面粒子カウント、抵抗率マッピング、選択エッチングによる結晶欠陥分析などの包括的な品質検査を受け、ウェハ全体で一貫した性能を保証しています。プライム、テスト、およびダミーの品質グレードで提供されており、高量産IC生産ラインから大学の研究開発プロトタイピングプロジェクトまで多様なニーズに対応しています。信頼される研磨シリコンウェハサプライヤーとして、製造および包装の全工程で厳格なクリーンルーム基準を維持し、SEMI国際基準を満たすかそれを超える基板を提供しています。

パラメータカテゴリ	仕様
ウェハ直径	2インチ、3インチ、4インチ、5インチ、6インチ、8インチ（カスタマイズ可能）
結晶成長方法	チョクラルスキー法（CZ）、フロートゾーン法（FZ）
ドーピングタイプ	N型（リン、ヒ素、アンチモン添加）；P型（ホウ素添加）
抵抗率	0.001 Ω·cm から >10,000 Ω·cm（高抵抗率）
結晶方位	<100>、<110>、<111>
全厚み変動（TTV）	≤ 0.5 μm
反り	≤ 10 μm
湾曲	≤ 5 μm
表面粗さ（Ra）	≤ 0.5 nm（原子レベルの平坦さ）
品質グレード	プライムグレード（デバイスグレード生産ウェハ）；テストグレード；ダミーグレード（モニターウェハ）
検査	100％全数検査：粒子検出、抵抗率マッピング、結晶欠陥スキャン
標準準拠	SEMI国際基準に準拠
包装	クラス100クリーンルーム真空包装；1箱あたり25枚またはカスタム数量
書類	出荷ごとに完全な検査報告書および材料証明書を添付
用途	IC製造、MEMS製造、パワー半導体、太陽電池、研究開発ラボ

研磨シリコンウェハは、フォトリソグラフィー、薄膜堆積、イオン注入、エッチングなど、ほぼすべての半導体デバイス製造プロセスの基礎となる出発材料です。当社の顧客には、集積デバイスメーカー、MEMSファウンドリ、太陽電池メーカー、世界中の大学研究所が含まれており、重要な生産および研究活動において当社の一貫した品質と信頼性の高い供給に依存しています。当社は、小規模な研究バッチから大量生産供給まで柔軟な注文数量を提供し、包括的な技術サポートおよびカスタム仕様開発サービスを通じて、顧客が半導体製造プロセスで最適な結果を達成できるよう支援しています。さらに、裏面メタライゼーション、ウェハ薄化、ダイシングサービスなどのカスタムウェハ加工サービスも提供し、特定のパッケージングおよび組立要件を持つ顧客をサポートし、包括的なワンストップ基板ソリューションプロバイダーとしての役割を果たしています。