ICおよびMEMS製造向けにプライム/テスト/ダミーグレードのCZ/FZ結晶タイプの高精度2-8インチ研磨シリコンウェハー。
ICの誘電体およびMEMS用途向けに正確に制御されたSiO2層を持つ2-8インチ熱酸化シリコンウェハー。
RF、パワーおよびMEMSデバイス向けにカスタマイズ可能なトップシリコンおよびBOX層厚を備えた先進的な4-8インチSOIシリコンウェハー。
多結晶シリコンはチョクラルスキー法（CZ法）またはフロートゾーン法（FZ法）により棒状の単結晶シリコンインゴットに成長されます。
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