SOIシリコンウェハー 4-8インチシリコンオンインシュレーター基板

SOIシリコンウェハ（シリコン・オン・絶縁体）は、トップのデバイス品質シリコン層、埋め込み酸化膜（BOX）絶縁層、およびボトムのハンドルシリコンウェハ基板からなる高度な三層半導体基板アーキテクチャです。当社のSOIシリコンウェハポートフォリオは、4インチから8インチの直径をカバーし、ボンデッドSOI（BESOI）およびSIMOX構造の両方のオプションを提供しており、従来のバルクシリコンの性能を超える高度な半導体デバイスの多様なアプリケーション要件に対応しています。

当社のBESOI SOIシリコンウェハは、ウェハボンディングとスマートカット技術により製造されます。2枚の研磨されたシリコンウェハを酸化膜層のインターフェースで接合し、その後、研削および研磨によってトップ層を正確に薄くしてデバイスシリコンの厚さ仕様を達成します。SIMOX SOIシリコンウェハは、高用量の酸素イオンをシリコン基板深部に注入し、高温アニールを行うことで、残存する表面シリコン層の下に連続した埋め込み酸化膜層を形成して製造されます。両技術は、寄生容量の大幅な低減、低消費電力、接合リークのない完全なデバイス絶縁、ラッチアップ効果の排除、従来のバルクシリコン基板に比べて向上した放射線耐性など、SOIの特徴的な利点を提供します。

当社は、トップシリコン厚さが数十ナノメートルから数マイクロメートルまで、埋め込み酸化膜層の厚さが100nmから2マイクロメートルまで、さまざまなハンドルウェハの抵抗率およびドーピングオプションを含む、完全にカスタマイズ可能なSOIシリコンウェハ仕様を提供しています。トップデバイス層は、加工準備済みの研磨状態または追加のエピタキシャル成長付きで供給可能で、ドーピングタイプおよび抵抗率は顧客のデバイス設計要件に正確に合わせて調整されます。各SOIシリコンウェハは、分光エリプソメトリーによる厚さマッピング、X線回折による結晶品質検証、光学スキャンによる表面欠陥検査、BOX層の完全性試験などの包括的な特性評価を受け、基板全体でデバイスグレードの品質を保証します。

SOIシリコンウェハは、高速RFデバイス、パワーエレクトロニクス、自動車用集積回路、MEMSセンサー、放射線耐性のある航空宇宙部品、高度なCMOS製造において大幅な性能向上を可能にします。専門のSOIシリコンウェハサプライヤーとして、当社は顧客と密接に連携し、カスタム仕様の開発および生産プロセス全体での一貫した品質管理を行い、ファブレス設計、ファウンドリ製造、大学研究機関のグローバルパートナー向けに次世代半導体デバイス性能を実現する高度な基板を提供します。すべての出荷には包括的な特性評価レポートを添付し、バルクシリコンからSOIベースのデバイス設計への移行に関する技術相談も提供します。当社の技術チームは、SOI技術採用時のデバイス設計および製造プロセスの最適化を支援するプロセス統合相談サービスも提供し、コンセプトから生産への円滑な移行を保証します。