SiC（炭化ケイ素）

通常のシリコンより優れたバンドギャップ、耐電圧性、熱伝導率および耐熱性を持つ炭化ケイ素ウェハーは、固体LED照明、高周波パワーデバイスおよび高ストレスの航空宇宙、軍事、原子力環境で使用される電子製品の代替不可能なコア基板として機能します。

利用可能なグレード: ゼロMPD、プロダクショングレード、リサーチグレード、ダミーグレード

直径: 50.8 ±0.38 mm；76.2 ±0.38 mm；100±0.5 mm；150±0.25 mm

厚さ: 4H‑N：350 μm±25 μm / 4H‑SI：500 μm±25 μm

詳細を記述してください

炭化ケイ素ウェーハは、固体LED照明および高周波半導体デバイス製造のコア基板として機能します。標準的なシリコン基板とは異なり、SiCははるかに広いバンドギャップ、高速なキャリア移動度、より高い破壊電圧および熱伝導率、そして卓越した耐熱性を誇ります。これらの優れた材料特性により、SiCは高温、高電圧、高周波、高出力、光電子、放射線耐性、マイクロ波電子機器、および航空宇宙、軍事機器、原子力施設などの過酷な環境での用途に不可欠なソリューションとなっています。

よくある質問

サンプルを入手できますか？

はい。

自分のロゴやデザインを製品に使用できますか？

はい、ご要望に応じて製品にラベルを付けることができます。内部ラベルと外部ラベルの両方が可能です。

工場はありますか？

はい、江蘇に工場があります。ぜひ弊社と工場にお越しください。

あなたの工場の生産能力はどのくらいですか？

私たちの主な焦点は製品の工程と生産サイクルにあります。

出荷はいつ行われますか？

お客様のご要望に基づき、在庫のある商品は当日出荷を手配し、在庫切れの商品については納期を確認いたします。配送は納期内に行われます。

SiC（炭化ケイ素）

通常のシリコンより優れたバンドギャップ、耐電圧性、熱伝導率および耐熱性を持つ炭化ケイ素ウェハーは、固体LED照明、高周波パワーデバイスおよび高ストレスの航空宇宙、軍事、原子力環境で使用される電子製品の代替不可能なコア基板として機能します。

SiC（炭化ケイ素）

SiC（炭化ケイ素）

クイックリンク

オンラインメッセージ