このシリコンおよびGaNエピタキシャルウェハー（EPI）製品は、コアMOCVD技術を用いてサファイア、シリコンまたは炭化ケイ素基板上に多様なカスタマイズ可能なエピタキシャル層構造を形成し、優れた電気性
フォームに記入して24時間以内に見積もりを取得
